SSD继续降!三星量产第8代V-NAND闪存

从本月开始,PCIe 5.0 SSD固态硬盘将陆续上市。对于用户来说,完全可以观望,因为厂商的难过日子会带来更多的新技术和新利益。现在,三星宣布将开始量产236层3D NAND闪存芯片,并将其命名为第8代V-NAND。该方案可以带来2400MTps的传输速度(对应的SSD传输速度轻松超过12GBps)。

得益于存储容量更大。V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平,封装512GB容量也不超过0.8mm,可以用于新一代智能手机。

按照三星的表述,与现有相同容量的闪存芯片相比,新一代3D NAND可提高提高20%的单晶生产率,从而进一步降低了成本,这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。

在未来,三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升,路线图中的目标是超过500层,这被视为3D闪存的极限,不过三星还在想法突破,最终能制造1000层堆栈的3D闪存。

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