台积电正在策划1nm工艺；关键设备是下一代EUV光刻机

在先进技术方面，TSMC将在今年年底量产3纳米技术，2025年量产2纳米技术。这一代将开始使用GAA晶体管，放弃目前的FinFET晶体管技术。

未来呢？2nm之后，就是1.4nm工艺。英特尔、TSMC和三星也在冲刺。其中，三星率先宣布2027年量产1.4nm工艺。TSMC没有说时间点，预计在2027年左右。1.4nm之后是1nm工艺。这个节点曾被认为是摩尔定律的物理极限，无法实现，但现在芯片厂商已经在攻关。

台积电已经启动了先导计划，传闻中的1nm晶圆厂将落户新竹科技园下属的桃园龙潭园区，这意味着台积电已经开始为1nm做规划了，毕竟工厂需要提前一两年建设。

不过真正量产1nm还需要很长时间，其中关键的设备就是下一代EUV光刻机，要升级下一代的高NA（数值孔径）标准，从现在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味着更分辨率更高，是3nm之后的工艺必备的条件。

按照ASML的计划，下一代EUV光刻机的试验型号最快明年就开始出货，2025年后达到正式量产能力，售价将达到4亿美元以上。